映象舆情

近期，证监会同意长鑫科技集团股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。

今年一季度，长鑫科技业绩增长按下加速键，其中一季度营收实现508亿元，同比增长719.13%；归母净利润达247.62亿元；扣非归母净利润为263.41亿元。长鑫科技今年一季度的营收、归母净利润两项财务数据的规模，分别超过中芯国际与佰维存储，在目前所有的科创板公司中居首。

朱一明现任长鑫科技集团创始人、董事长，同时也是兆易创新的创始人、董事长。朱一明作为核心发明人，申请专利总数169件(兆易创新72件、长鑫科技97件)，授权总数104件(中国专利68件、海外专利36件)。

在兆易创新，相关专利涵盖电路控制、制造工艺等，涉及NOR闪存、NAND闪存、SRAM、OTP、MCU等方向。2005年申请的首件专利提出采用标准逻辑工艺的负电压传输电路，具备高传输一致性与低功耗优势；此后在NOR、NAND闪存领域持续创新，提出多项读写、擦除方法及先进制造工艺，在NAND、3D NOR制造技术布局多件关键专利，前景广阔。

在长鑫科技，申请的专利主要聚焦在先进存储架构与新型存储器制造技术。2019年提出通过堆叠方式实现DRAM存储区与外围电路高效互联的架构，提升传输速度与集成密度，成为新架构DRAM产品的主要方向；同时在易失性与非易失性存储器互联技术上提出先进系统架构。

2020年针对4F2 DRAM提出系列解决方案，通过构建垂直晶体管结构、采用先进工艺实现新型位线及半导体柱制造，解决晶体管性能下降问题，提高存储密度与集成度，该技术已在中国、美国、欧洲等地完成专利授权。

2022年提出双晶体管无电容(2T0C)DRAM架构，通过半导体柱与栅极柱纵向分布设计，减小晶体管投影面积，改善电荷存储能力并降低工艺复杂性，实现高集成与低功耗，该技术已在中国、美国、欧洲、日本、韩国、新加坡等地完成专利授权。此外在MRAM等前沿存储技术领域布局创新器件结构专利。

国金证券樊志远指出，国内存储产业资本化进入新阶段，有望进一步加快存储扩产及技术升级，继续看好存储受益产业链。从近期AI产业链多家公司业绩超预期的情况来看，AI短期、中期的需求都非常强劲，研判AI算力硬件核心公司二三季度业绩环比有望加速，建议关注业绩有望超预期方向。

据财联社主题库显示，相关上市公司中：

合百集团在互动平台表示，公司实缴出资1.8亿元参投了合肥市国联资本股权投资基金，合肥市国联资本股权投资基金通过产投壹号基金投资长鑫科技集团股份有限公司4.5亿元。

‌国元证券在互动平台表示，公司通过国元股权、国元创新等主体间接参与了长鑫科技的投资，间接投资的比例较小。